报告主题: 第三代半导体材料的应用和最新研究动态
报告专家：日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任，电气电子系教授，博士生导师
报告时间：2016年11月4日09：30
报告地点：行政楼506
专家介绍：
郭其新，日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任，电气电子系教授，博士生导师。分别于1990，1992和1996年在日本国立丰桥技术科学大学电气电子系获得学士，硕士和博士学位。主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。已在Nature Communications，Advanced Materials，Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters等期刊上发表SCI论文280余篇，H因子为32 （Scopus）。在国际学术会议上多次做邀请报告并担任多个国际会议组织机构成员和技术委员会委员。日本学术振兴会162宽禁带光电材料委员会委员。日本国立九州大学客座教授，上海交通大学客座教授，上海工程技术大学客座教授，中国科学院客座研究员。
内容介绍：
以硅(Si)为代表的第一代半导体材料，砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料，为人类社会发展做出了巨大贡献。现在以GaN，Ga2O3为代表的第三代半导体材料在各种应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件，以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。 报告将介绍第三代半导体材料的原理，制作方法和国际上的最新研究动态。
